用于制造异质结太阳能电池的PECVD设备及成套PECVD...
授权
摘要
本实用新型提供用于制造异质结太阳能电池的PECVD设备及成套PECVD设备。所述PECVD设备包括依次连接的加载腔、第一反应腔、第一传输腔、第二反应腔和卸载腔，所述PECVD设备还包括：预热腔，其设置在所述加载腔与第一反应腔之间，用于在将异质结太阳能电池对应的硅片送入第一反应腔之前将所述硅片预热到预设温度，以便减少在所述第一反应腔中的停留时间；以及第二传输腔，其设置在预热腔和第一反应腔之间，用于将经所述预热腔预热的硅片传输至所述第一反应腔。本实用新型的PECVD设备可避免在第一反应腔耗费过长的时间进行预热，可有效提高镀膜速度和效率，并可有效提高PECVD设备的产能。
基本信息
专利标题 ：
用于制造异质结太阳能电池的PECVD设备及成套PECVD设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921623534.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-27
授权号 ：
CN211339683U
授权日 ：
2020-08-25
发明人 ：
杨飞云徐升东胡宏逵陈金元李朋
申请人 ：
上海理想万里晖薄膜设备有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区秀浦路2555号A1幢8层
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921623534.4
主分类号 ：
C23C16/50
IPC分类号 ：
C23C16/50 C23C16/46 C23C16/54 H01L31/18
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
法律状态
2020-08-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
