监控△Tj大电流功率循环的电路控制结构

授权

摘要

本实用新型公开了一种监控△Tj大电流功率循环的电路控制结构，包括被测MOS管Q1、电压源VR、电流源Im、按键开关K1、按键开关K2、按键开关K3、按键开关K4、电阻R1、寄生二极管D1和电压表，按键开关K1的一端接电压源VR，按键开关K1的另一端分别与被测MOS管Q1的4引脚和按键开关K4的一端电性连接，按键开关K4的另一端接‑5V电压，被测MOS管Q1的1引脚分别与寄生二极管D1负极和电压表的一端电性连接其节点接+5V电压。本实用新型克服了传统的MOSFET间歇寿命试验中由于没有设置结温监控导致在试验中易出现器件失效的风险的问题。本实用新型具有按键的使用寿命长、具有防尘功能、采集数据方便、计算数据方便和测量精度较高等优点。

基本信息

专利标题：

监控△Tj大电流功率循环的电路控制结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921655976.7

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-09-30

授权号：

CN211653051U

授权日：

2020-10-09

发明人：

吴志刚刘年富陈益敏张健田熠赵翔

申请人：

杭州高裕电子科技有限公司

申请人地址：

浙江省杭州市余杭区仁和街道永泰路2号16#

代理机构：

杭州融方专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

沈相权

优先权：

CN201921655976.7

主分类号：

G01R31/26

IPC分类号：

G01R31/26 G01R19/00 G01R1/02