一种SiC MOSFET功率循环测试电路及其控制方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种SiC MOSFET功率循环测试电路及其控制方法，所提测试电路包括旁路开关AS，负载电流源Iload，被测器件Q1_1～Qm_n，支路二极管D1～Dm，驱动电阻R1_1～Rm_n，开关S1_1～Sm_n和IS1_1～ISm_n，小电流源I1_1～Im_n。所提控制方法采用轮巡结温测量方法，每个功率循环测试周期对支路上一个器件的结温和阈值电压进行监测，解决了串联支路上各个器件由于测量结温顺序的差异导致测量结果误差的问题。本发明所提电路结构可以实现在SiC MOSFET功率循环测试中对被测器件阈值电压和温度的在线监测，所提阈值电压测量方法无需增加额外电流源，实现简单。所提控制方法可以实现串联支路上各个被测器件极限温度(最高结温和最低结温)的精确测量。
基本信息
专利标题 ：
一种SiC MOSFET功率循环测试电路及其控制方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114325286A
申请号 ：
CN202111683278.X
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
罗皓泽吴强陈宏崔瑞杰康建龙严辉强
申请人 ：
浙江大学杭州国际科创中心
申请人地址 ：
浙江省杭州市萧山区建设三路733号
代理机构 ：
杭州裕阳联合专利代理有限公司
代理人 ：
高明翠
优先权 ：
CN202111683278.X
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/26
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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