本实用新型公开了一种带结温监控的MOSFET间歇寿命试验系统的电路控制结构，包括用于生产稳点电压信号的信号源，信号源的输出端与用于固定测试电路的老化板的输入端电性连接，老化板包括上分别固定有信号源采集电路、被测电路、VH信号采集电路和VM信号采集电路，VH信号采集电路的输出端输出端和VM信号采集电路的输出端分别与上位机的信号输入端电性连接。本实用新型克服了传统的MOSFET间歇寿命试验中由于没有设置结温监控导致在试验中易出现器件失效的风险的问题。本实用新型具有采集数据方便、计算数据方便和测量精度较高等优点。