一种气氛熔盐提拉炉
授权
摘要
本实用新型公开了一种气氛熔盐提拉炉，包括熔炉，晶体生长机构、进/出气机构以及传动装置，其中晶体生长机构包括刚玉管、坩埚和籽晶杆。本实用新型通过进/出气机构使刚玉管内充入适合晶体生长的气体，另外通过传动装置控制籽晶杆在刚玉管内的垂直运动和圆周运动。由于本实用新型刚玉管中排除了水分和空气，充入适合晶体生长的气体，避免了因原料的氧化而造成的晶体不能生长问题，另外，本实用新型中籽晶杆可以同时做垂直运动和圆周运动，大大缩短了晶体生长的周期。本实用新型生长的晶体外观完整，结晶性能良好，使用简洁，操作方便。
基本信息
专利标题 ：
一种气氛熔盐提拉炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921695393.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-11
授权号 ：
CN211142236U
授权日 ：
2020-07-31
发明人 ：
涂朝阳胡明远朱昭捷李坚富王燕游振雨
申请人 ：
中国科学院福建物质结构研究所
申请人地址 ：
福建省福州市鼓楼区杨桥西路155号
代理机构 ：
北京元周律知识产权代理有限公司
代理人 ：
校丽丽
优先权 ：
CN201921695393.7
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B15/20 C30B29/12
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-07-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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