一种多用途光电性能联合原位测试池
授权
摘要
本实用新型涉及一种多用途光电性能联合原位测试池,属于半导体光电功能材料和器件领域,包括高压密封系统、样品加热/测试台、宽光谱透光窗口和安全阀;高压密封系统包括高压池体、主密封系统,高压池体的下部设置有宽光谱透光窗口,样品台导热板的表面安装测试探针,高压密封系统的主密封系统上还设置有进气管、热电偶插管、排气管和加热/测试电极。本实用新型可以在测试高压、加热、特殊气氛、强激光、强磁场等因素单独或两种以上联合作用下,连续、原位地测定半导体材料和器件的电输运性能。通过这个过程,一方面实现对半导体材料和器件性能的有效调控,另一方面可以发现新的性质和现象,为研制具有特殊功能的半导体光电器件奠定基础。
基本信息
专利标题 :
一种多用途光电性能联合原位测试池
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921768559.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-10-21
授权号 :
CN211426693U
授权日 :
2020-09-04
发明人 :
廉刚黄丽萍王涛朱菲尚美佳崔得良王琪珑
申请人 :
山东大学
申请人地址 :
山东省济南市历城区山大南路27号
代理机构 :
济南金迪知识产权代理有限公司
代理人 :
赵龙群
优先权 :
CN201921768559.3
主分类号 :
G01R31/26
IPC分类号 :
G01R31/26 G01R1/04
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2020-09-04 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN211426693U.PDF
PDF下载