一种电子显微镜原位力学性能测试芯片
授权
摘要

本实用新型涉及电子显微镜原位力学性能测试领域,尤其涉及一种电子显微镜原位力学性能测试芯片。该芯片在单晶硅片上形成的两部分:一部分为固定端,通过固定件安装孔固定在电镜样品杆或支架上;另一部分为运动端,运动端通过与施力端连接件连接施加力的部件;固定端和运动端两部分通过相互配合的凹/凸部分相扣在一起,实现对样品载荷的施加。在双抛单晶硅片的两侧沉积氮化硅,一侧利用紫外光刻技术沉积铂电极,而后进行深硅刻蚀;另一侧进行等离子体刻蚀,先将氮化硅刻蚀出所需图形,而后利用湿法刻蚀对硅进行刻蚀,最后沉积钝化层,得到实现施加载荷和加热的电子显微镜原位力学性能测试芯片,对样品进行显微结构演化分析。

基本信息
专利标题 :
一种电子显微镜原位力学性能测试芯片
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920925743.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-06-19
授权号 :
CN210534032U
授权日 :
2020-05-15
发明人 :
邰凯平谭军毛鹏燕赵洋康斯清
申请人 :
中国科学院金属研究所
申请人地址 :
辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
代理机构 :
沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
张志伟
优先权 :
CN201920925743.8
主分类号 :
G01N23/22
IPC分类号 :
G01N23/22  H01J37/244  H01J37/26  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N23/00
利用波或粒子辐射来测试或分析材料,例如未包括在G01N3/00-G01N17/00、G01N 21/00 或G01N 22/00中的X射线或中子
G01N23/22
通过测量材料的二次发射
法律状态
2020-05-15 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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