一种片式叠层耦合器
授权
摘要
本实用新型公开了一种片式叠层耦合器，包括：陶瓷基体；位于陶瓷基体外表面的第一输入引脚、第一输出引脚、第二输入引脚以及第二输出引脚；位于陶瓷基体上、下表面的上接地层和下接地层；位于陶瓷基体内部的第一折叠耦合带状线及其两个引出端A、B，以及，第二折叠耦合带状线及其两个引出端C、D；其中：第一输入引脚、引出端A、第一折叠耦合带状线、引出端B及第一输出引脚依次连接成为一路信号走线；第二输入引脚、引出端C、第二折叠耦合带状线、引出端D、第二输出引脚依次连接成为另一路信号走线。本实用新型的片式叠层耦合器无需在陶瓷基体上开孔，具有外部电极金属结构简单、便于生产制作、电性优良、成品率高的优势。
基本信息
专利标题 ：
一种片式叠层耦合器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921778891.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-22
授权号 ：
CN210805977U
授权日 ：
2020-06-19
发明人 ：
闵祥会
申请人 ：
深圳顺络电子股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙华区观澜街道大富苑工业区顺络观澜工业园
代理机构 ：
深圳新创友知识产权代理有限公司
代理人 ：
江耀纯
优先权 ：
CN201921778891.8
主分类号 ：
H01P5/18
IPC分类号 ：
H01P5/18
法律状态
2020-06-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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