氮化镓HEMT管集成电路、反激电路、无桥PFC电路及雷达
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摘要
本实用新型涉及一种氮化镓HEMT管集成电路、反激电路、无桥PFC电路及雷达。其中，氮化镓HEMT管集成电路包括：封装于管壳内的第一氮化镓HEMT管、反向续流单元及泄放单元；反向续流单元的输入端连接第一氮化镓HEMT管的源极，输出端连接第一氮化镓HEMT管的漏极，用于与第一氮化镓HEMT管构成反向续流回路；泄放单元的输入端连接第一氮化镓HEMT管的漏极，输出端用于接地，用于为第一氮化镓HEMT管进行电流泄放。通过针对主管芯第一氮化镓HEMT管配置反向续流单元，使氮化镓HEMT管集成电路具备良好的反向续流能力，配置泄放单元为第一氮化镓HEMT泄放电流，提高雪崩耐量，从而提高主管芯第一氮化镓HEMT管的容限范围，能够在更多场景下取代MOSFET，获得比MOSFET更优的性能。
基本信息
专利标题 ：
氮化镓HEMT管集成电路、反激电路、无桥PFC电路及雷达
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921800801.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-24
授权号 ：
CN210578467U
授权日 ：
2020-05-19
发明人 ：
何川赵起越
申请人 ：
英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请人地址 ：
广东省珠海市高新区金园二路39号
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
张彬彬
优先权 ：
CN201921800801.0
主分类号 ：
H03K3/353
IPC分类号 ：
H03K3/353 H03K3/01 G01S7/484 G01S7/282
法律状态
2020-05-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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