一种基于SIW的大频率比背腔天线
授权
摘要
本实用新型公开了一种基于SIW的大频率比背腔天线，包括介质基板、四个辐射贴片、两个微带馈线、若干金属圆柱；四个辐射贴片和两个微带馈线设在介质基板上表面，其中一个辐射贴片上开有一个空位，其两端分别连接两个微带馈线，其余三个辐射贴片并排置于该空位中，中间的那个辐射贴片开有多条条形缝隙及一个半圆形缝隙，金属圆柱穿过介质基板分布在第三辐射贴片周围和空位四周。本实用新型具有高增益、体积小、辐射效率高、辐射特性好、可与电路集成的特点，可同时工作于微波和毫米波频段，既能满足现在低频段的通信需求，又能满足未来毫米波通信的需求。
基本信息
专利标题 ：
一种基于SIW的大频率比背腔天线
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921820464.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-28
授权号 ：
CN210607616U
授权日 ：
2020-05-22
发明人 ：
涂治红蔡金涛聂娜
申请人 ：
华南理工大学
申请人地址 ：
广东省广州市天河区五山路381号
代理机构 ：
广州市华学知识产权代理有限公司
代理人 ：
冯炳辉
优先权 ：
CN201921820464.1
主分类号 ：
H01Q1/38
IPC分类号 ：
H01Q1/38 H01Q1/50 H01Q5/28 H01Q5/307 H01Q13/10 H01Q13/18
法律状态
2020-05-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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