低交叉极化双频背腔天线及无线通信设备
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摘要
本实用新型公开了一种低交叉极化双频背腔天线及无线通信设备，所述天线包括介质基片、上金属层、下金属层和金属化通孔阵列，上金属层设置在介质基片的上表面，下金属层设置在介质基片的下表面，所述金属化通孔阵列贯穿上金属层、介质基片和下金属层，且金属化通孔阵列与上金属层、下金属层共同围成一个半模基片集成波导腔体；所述介质基片和下金属层相对上金属层向一侧延伸，半模基片集成波导腔体在延伸部分形成开口，上金属层在靠近开口的一侧设有缝隙。本实用新型天线利用半模技术减小了双频天线的体积，还拥有交叉极化低的良好特性，可以很好地减小通讯时系统间的干扰，同时具有低剖面，体积小的特点，易于与小体积的通信系统集成。
基本信息
专利标题 ：
低交叉极化双频背腔天线及无线通信设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020433162.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-30
授权号 ：
CN211789532U
授权日 ：
2020-10-27
发明人 ：
孔永丹赖敏
申请人 ：
华南理工大学
申请人地址 ：
广东省广州市天河区五山路381号
代理机构 ：
广州市华学知识产权代理有限公司
代理人 ：
李君
优先权 ：
CN202020433162.5
主分类号 ：
H01Q1/52
IPC分类号 ：
H01Q1/52 H01Q5/50 H01Q1/36 H01Q5/00 H01Q13/00 H01Q13/06
法律状态
2020-10-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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