一种双晶探头的焦聚的测量试块
授权
摘要
本实用新型公开了一种双晶探头的焦聚的测量试块，包括测试结构(1)，所述测试结构(1)的上侧与下侧在垂直上侧的方向上的距离为所述测试结构(1)的测量深度，从所述测试结构(1)一端到另一端所述测试结构(1)的测量深度逐渐增加。本实用新型的双晶探头的焦聚的测量试块结构简单，可以对中板、锻件、铸件等的近距离缺陷检测提供精确灵敏度、声场标定工作。利用本实用新型的对比试块标定的探头参数，满足了近距离声场准确校准目的，更有利于锻件的近表面超声波缺陷定位探伤。
基本信息
专利标题 ：
一种双晶探头的焦聚的测量试块
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921836814.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-29
授权号 ：
CN211669136U
授权日 ：
2020-10-13
发明人 ：
陈昌华张利张洪陈庆勇徐正茂董政刘晓磊哈曜王姣陈新华
申请人 ：
南京迪威尔高端制造股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市六合区迪西路8号
代理机构 ：
南京苏创专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张学彪
优先权 ：
CN201921836814.3
主分类号 ：
G01N29/30
IPC分类号 ：
G01N29/30
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N29/00
利用超声波、声波或次声波来测试或分析材料；靠发射超声波或声波通过物体得到物体内部的显像
G01N29/22
零部件
G01N29/30
校准或比较，例如，用标准物体
法律状态
2020-10-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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