本申请提供一种太阳能电池，包括半导体基片、金属电极及依次层叠设置在所述半导体基片一侧表面的隧穿层与掺杂多晶硅层，所述掺杂多晶硅层具有第一部分与第二部分，所述金属电极与所述第一部分相接触，所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度，且所述第一部分的掺杂浓度大于第二部分的掺杂浓度。所述第一部分厚度设置较大且掺杂浓度较高，能够有效降低金属电极区域的复合损失；所述第二部分厚度较小且掺杂浓度较低，对半导体基片的非电极区域进行钝化的同时，减少对光线的吸收。