一种水平式MOCVD系统
授权
摘要
本实用新型公开了金属有机物化学气相沉积薄膜技术领域的一种水平式MOCVD系统。包括依次布设的载气装置、反应源装置、反应室和真空系统；所述载气装置包括气瓶和流量计；反应源装置由并联布置的气化腔和截止阀组成，气化腔中放置盛放有机反应源的容器；反应室由密封端盖、管式炉和石英管组成，石英管内布设过滤网、整流工装和石墨样品台，管式炉包裹在石英管外壁，石英管两端用密封端盖密封，密封端盖中心设有进出气口，两侧分别连接反应源装置和真空系统；真空系统包括截止阀、真空计、尾气处理装置和真空泵。本实用新型结构简单，可实现管状样品内壁薄膜的批量化均匀制备，加料方便，通过对气化腔的简单切换能实现多体系复合薄膜的制备。
基本信息
专利标题 ：
一种水平式MOCVD系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921847517.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-30
授权号 ：
CN211036099U
授权日 ：
2020-07-17
发明人 ：
李世杰米菁郝雷于庆河杜淼李帅
申请人 ：
有研工程技术研究院有限公司
申请人地址 ：
北京市怀柔区雁栖经济开发区兴科东大街11号
代理机构 ：
北京众合诚成知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄家俊
优先权 ：
CN201921847517.9
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/18 C23C16/458
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2020-07-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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