一种高压射频PIN管
授权
摘要
本实用新型公开了半导体功率器件技术领域内的一种高压射频PIN管。该种高压射频PIN管包括N型重掺杂衬底，N型重掺杂衬底的上方设有高阻本征层，N型重掺杂衬底的下方设有背面电极金属，高阻本征层的上方设有P型重掺杂层，P型重掺杂层、高阻本征层和部分N型重掺杂衬底形成一个三层的柱形体，N型重掺杂衬底的上方还设有钝化层，钝化层包覆柱形体，钝化层在柱形体上面开设有通孔，在P型重掺杂层上方设有正面电极金属，正面电极金属穿过通孔与P型重掺杂层接触。该种高压射频PIN管能够在较大电压区间工作同时生产成本较低。
基本信息
专利标题 ：
一种高压射频PIN管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921937447.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-11
授权号 ：
CN210575966U
授权日 ：
2020-05-19
发明人 ：
严毅琳马文力王源政徐婷
申请人 ：
扬州国宇电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省扬州市吴州东路188号
代理机构 ：
北京轻创知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄启兵
优先权 ：
CN201921937447.6
主分类号 ：
H01L29/868
IPC分类号 ：
H01L29/868 H01L29/06
法律状态
2020-05-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
