一种自带嵌入式温度传感器的IGBT器件
授权
摘要
本实用新型涉及一种自带嵌入式温度传感器的IGBT器件，包括芯片本体，芯片本体包括元胞区及温度传感区，温度传感区包括N‑衬底表面的绝缘介质层USG，绝缘介质层USG的表面设置有螺旋状的浅槽，浅槽内设置有多晶硅组，多晶硅组由多个首尾依次连接的P型多晶硅及N型多晶硅组成，绝缘介质层USG、P型多晶硅及N型多晶硅的表面设置有一层绝缘介质层PSG，多晶硅组的首尾两端分别设置有温度传感器正极及温度传感器负极。本实用新型的自带嵌入式温度传感器的IGBT器件能够快速精确监测其自身温度，防止其由于温度过高而影响使用性能甚至损坏。
基本信息
专利标题 ：
一种自带嵌入式温度传感器的IGBT器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921961348.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-14
授权号 ：
CN210607252U
授权日 ：
2020-05-22
发明人 ：
阳平
申请人 ：
上海擎茂微电子科技有限公司
申请人地址 ：
上海市闵行区紫星路588号2幢1169室
代理机构 ：
温州知远专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
汤时达
优先权 ：
CN201921961348.1
主分类号 ：
H01L27/06
IPC分类号 ：
H01L27/06 H01L29/739
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/06
在非重复结构中包括有多个单个组件的
法律状态
2020-05-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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