浮地驱动MOS控制回路
授权
摘要
本实用新型公开了一种浮地驱动MOS控制回路，其包括变压器等，第一二极管的一端、第一电容的一端都与第一电阻的一端相连，第一二极管的另一端、第一电容的另一端都与第一辅助绕组相连，第一电阻的另一端、NMOS管的栅极与光耦的一端相连，第二电阻的一端与光耦的另一端相连，第二电阻的另一端与微处理器的第一引脚相连，第二二极管的一端、第二电容的一端都与NMOS管的漏极相连，第二二极管的另一端、第二电容的另一端都与主输出绕组相连。本实用新型减少损耗和便于驱动。
基本信息
专利标题 ：
浮地驱动MOS控制回路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921970447.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-15
授权号 ：
CN210927593U
授权日 ：
2020-07-03
发明人 ：
杨晓东朱慧高志昆
申请人 ：
昆山硕通电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市昆山市千灯镇华涛路368号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921970447.6
主分类号 ：
H03K17/687
IPC分类号 ：
H03K17/687
法律状态
2020-07-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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