一种反射式极化扭转基片集成频率选择表面
授权
摘要
本实用新型公开了一种反射式极化扭转基片集成频率选择表面，采用SIW腔体，所述SIW腔体的顶部刻出水平放置的槽和垂直放置的槽；水平极化的平面波通过垂直放置的槽耦合进入SIW腔体，在腔内激励出的主模TM110；主模TM110的表面电流从中心扩向腔体的四面，腔体顶部的两个槽将SIW腔体的表面电流割断，通过水平放置的槽以垂直极化波的形式辐射至自由空间中。本实用新型与现有技术相比，在SIW腔体内激励出TM120/TM210双模谐振，可取得更宽的通带及更佳的频率选择特性，增强频率选择表面在斜入射时的稳定性；采用单层板，结构简单、性能易优化，且易于加工、降低了生产成本。
基本信息
专利标题 ：
一种反射式极化扭转基片集成频率选择表面
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921972630.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-15
授权号 ：
CN210607638U
授权日 ：
2020-05-22
发明人 ：
朱熙铖王玲玲
申请人 ：
南京信息工程大学
申请人地址 ：
江苏省南京市江北新区宁六路219号
代理机构 ：
南京苏高专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
柏尚春
优先权 ：
CN201921972630.X
主分类号 ：
H01Q15/00
IPC分类号 ：
H01Q15/00 H01Q15/24
法律状态
2020-05-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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