内存单元及NAND型内存

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

摘要

本实用新型公开了一种内存单元，包含主动组件、电极、加热单元以及相变化单元。电极耦接于主动组件，且电极与该主动组件位于同一层。加热单元形成于电极上方，且加热器耦接于电极。相变化单元耦接于加热器，其中相变化单元形成于主动组件上方，且相变化单元与主动组件并联。

基本信息

专利标题：

内存单元及NAND型内存

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921978985.X

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-11-15

授权号：

CN210897286U

授权日：

2020-06-30

发明人：

刘峻志廖昱程邱泓瑜李宜政

申请人：

江苏时代全芯存储科技股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司

申请人地址：

江苏省淮安市淮阴区长江东路601号

代理机构：

北京先进知识产权代理有限公司

代理人：

张雪竹

优先权：

CN201921978985.X

主分类号：

H01L27/24

IPC分类号：

H01L27/24

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法律状态

2021-10-01 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

IPC(主分类) : H01L 27/24
变更事项 : 专利权人
变更前 : 江苏时代全芯存储科技股份有限公司
变更后 : 北京时代全芯存储技术股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 223300 江苏省淮安市淮阴区长江东路601号
变更后 : 100094 北京市海淀区丰豪东路9号院2号楼8层4单元802
变更事项 : 专利权人
变更前 : 江苏时代芯存半导体有限公司
变更后 : 江苏时代芯存半导体有限公司

2021-10-01 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 27/24
登记生效日 : 20210922
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 北京时代全芯存储技术股份有限公司
变更后权利人 : 北京时代全芯存储技术股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100094 北京市海淀区丰豪东路9号院2号楼8层4单元802
变更后权利人 : 100094 北京市海淀区丰豪东路9号院2号楼8层4单元802
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 江苏时代芯存半导体有限公司

2020-06-30 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

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