一种导模法生产稀土共晶荧光体的模具
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摘要

本实用新型公开了一种导模法生产稀土共晶荧光体的模具,属于共晶荧光体的生产设备领域;该模具包括两块对称安装的片状模板和一个用于放置模板的坩埚,以及用于将两块模板相对紧固在一起的紧固装置;两块模板的形状、尺寸相同;模板底面为平面,且底面开设通道槽,通道槽贯穿模板前、后面,两块模板的中部相同位置设置圆形的通孔;所述的紧固装置包括螺纹杆和螺母,螺纹杆用于穿过两块模板的圆形通孔,之后用两个螺母从两块模板外侧进行旋紧固定;且两块模板之间需要保持0.2‑0.3mm的间隙;将两块模板相对紧固在一起后,竖直放置在坩埚内部中央;两块模板之间0.2‑0.3mm的间隙形成的毛细效应,熔化的原料会从两块模板底部的通道槽进入,并沿着间隙向上生长。

基本信息
专利标题 :
一种导模法生产稀土共晶荧光体的模具
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921982839.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-11-18
授权号 :
CN211311665U
授权日 :
2020-08-21
发明人 :
张光懿赛青林高乐乐池建义夏长泰赵芬唐晶晶
申请人 :
中国科学院包头稀土研发中心
申请人地址 :
内蒙古自治区包头市稀土高新区黄河大街36号
代理机构 :
北京挺立专利事务所(普通合伙)
代理人 :
王莉
优先权 :
CN201921982839.4
主分类号 :
C30B15/34
IPC分类号 :
C30B15/34  C30B29/28  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/34
使用成型模或缝隙的边缘限制熔膜供料的晶体生长
法律状态
2020-08-21 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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