一种新型双层分数槽集中绕组

专利权的终止

摘要

本实用新型公开了一种新型双层分数槽集中绕组，该集中绕组的任一相位的其中一层绕组的正相带槽位包括第一槽位和第二槽位，该集中绕组的该任一相位的其中一层绕组的负相带槽位包括第三槽位，该集中绕组的该任一相位的另一层绕组的正相带槽位包括第四槽位，该集中绕组的该任一相位的该另一层绕组的负相带槽位包括第五槽位和第六槽位；其中，第一至第六槽位分别通过三相对称双层绕组的该任一相位的该其中一层绕组的正相带槽位、负相带槽位，三相对称双层绕组的该任一相位的该另一层绕组的正相带槽位、负相带槽位，以及三相对称双层绕组的槽位相位图变换得到，使得其极槽配合更加合理，从而使得集中绕组能通过抑制奇数对极磁动势谐波绕组系数，达到抑制相应磁动势谐波幅值的目的。

基本信息

专利标题：

一种新型双层分数槽集中绕组

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201922003834.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-11-19

授权号：

CN210806890U

授权日：

2020-06-19

发明人：

杨凯胡林伟徐百川李天乐余文毅徐蕴镠孙宋君

申请人：

华中科技大学

申请人地址：

湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

代理机构：

武汉东喻专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

李佑宏

优先权：

CN201922003834.9

主分类号：

H02K3/28

IPC分类号：

H02K3/28