一种基于MOS自锁的短路保护电路
授权
摘要
本实用新型提供了电路保护技术领域的一种基于MOS自锁的短路保护电路，包括一电源输入正极、一电源输入负极、一电源输出正极、一电源输出负极、一MOS管Q1、一MOS管Q2、一电容C1、一电阻R1、一电阻R2以及一电阻R3；所述MOS管Q1的漏极分别与MOS管Q2的漏极、电阻R1、电容C1以及电源输入正极连接，源极分别与所述电阻R1、电阻R3、电源输出正极、电源输入负极以及电源输出负极连接，栅极分别与所述电阻R2以及MOS管Q2的源极连接；所述MOS管Q2的栅极分别与电容C1以及电阻R3连接。本实用新型的优点在于：极大的降低了短路保护电路的成本，提高了可靠性，并具备故障消除后的自恢复。
基本信息
专利标题 ：
一种基于MOS自锁的短路保护电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922009069.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-20
授权号 ：
CN211456676U
授权日 ：
2020-09-08
发明人 ：
汤平孔腾纪龙治邓秉杰王伟平
申请人 ：
福建星云电子股份有限公司
申请人地址 ：
福建省福州市马尾区快安马江大道石狮路6号1-4#楼
代理机构 ：
福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
林燕
优先权 ：
CN201922009069.1
主分类号 ：
H02H7/12
IPC分类号 ：
H02H7/12 H02H3/06
法律状态
2020-09-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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