激光二极管的光源耦合结构

授权

摘要

本实用新型涉及一种光学结构，本实用新型旨在解决现有激光器在增加激光二极管后输出光斑口径增大的问题，提出一种激光二极管的光源耦合结构，包括：第一激光二极管阵列、第二激光二极管阵列和分色镜，所述第一激光二极管阵列发射第一光束组，所述第二激光二极管阵列发射第二光束组，所述分色镜包括多个镀膜区，第一激光二极管阵列发射的第一光束组能够穿透分色镜的对应镀膜区后传播方向保持不变，第二激光二极管阵列发射的第二光束组能够经过分色镜的对应镀膜区反射后与穿透该镀膜区的第一光束组耦合。本实用新型最大限度的减小了光斑口径，提高了系统输出光功率。

基本信息

专利标题：

激光二极管的光源耦合结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201922011854.0

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-11-20

授权号：

CN210465983U

授权日：

2020-05-05

发明人：

梁其鹏张金旺何磊

申请人：

四川长虹电器股份有限公司

申请人地址：

四川省绵阳市高新区绵兴东路35号

代理机构：

成都虹桥专利事务所(普通合伙)

代理人：

李凌峰

优先权：

CN201922011854.0

主分类号：

G03B21/20

IPC分类号：

G03B21/20