断路器上降低侧壁温升的结构
授权
摘要
本实用新型涉及断路器技术领域，特别是公开了一种断路器上降低侧壁温升的结构，包括基座，所述基座的左右侧壁靠近断路器的软连结和热元件的位置处设置有气流通道，所述气流通道的两端分别与基座的内部和外部联通形成对流。采用上述结构，提供了一种降低断路器侧壁温升的结构，可以形成对流，有效降低侧壁对应软联结位置的温升，从而满足塑壳类产品温升测试达到国家标准。
基本信息
专利标题 ：
断路器上降低侧壁温升的结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922151287.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-04
授权号 ：
CN211238046U
授权日 ：
2020-08-11
发明人 ：
何国标沈艳何海良李小利徐赛金
申请人 ：
德力西电气有限公司
申请人地址 ：
浙江省温州市乐清市柳市镇德力西高科技工业园区
代理机构 ：
温州瓯越专利代理有限公司
代理人 ：
王庭辉
优先权 ：
CN201922151287.9
主分类号 ：
H01H9/52
IPC分类号 ：
H01H9/52 H01H71/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01H
电开关；继电器；选择器；紧急保护装置
H01H9/00
不包含在H01H1/00至H01H7/00组内的开关装置的零部件
H01H9/52
开关部件的冷却
法律状态
2020-08-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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