具有高增益及高频陷波的双极化基站辐射阵子
授权
摘要
本实用新型适用于基站天线设备技术领域，提供了一种具有高增益及高频陷波的双极化基站辐射阵子，包括有：一个反射底板；至少一个低频辐射阵子，固定安装在所述反射底板上；至少四个高频辐射阵子，固定安装在所述反射底板上，且均匀环绕在所述低频辐射阵子的四周；至少四条金属丝，分别独立对称架设在所述低频辐射阵子四周分布的支撑架上。借此，本实用新型在低频天线阵子四周设置的金属丝起到了寄生辐射天线的作用，该寄生天线产生的辐射场与低频阵子产生的辐射场相叠加，在不影响嵌套布局方案的情况下，充分利用空间资源提高低频天线的增益。
基本信息
专利标题 ：
具有高增益及高频陷波的双极化基站辐射阵子
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922156440.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-03
授权号 ：
CN211320314U
授权日 ：
2020-08-21
发明人 ：
马建郑文锋高天成李自华廖东
申请人 ：
摩比科技（深圳）有限公司;摩比通讯技术（吉安）有限公司;摩比科技(西安)有限公司;摩比天线技术（深圳）有限公司;深圳市晟煜智慧网络科技有限公司;深圳市摩比网络通信有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市光明新区公明街道根玉路摩比科技大厦整栋
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘健
优先权 ：
CN201922156440.7
主分类号 ：
H01Q1/36
IPC分类号 ：
H01Q1/36 H01Q1/38 H01Q1/50 H01Q19/10 H01Q21/00 H01Q21/30 H01Q1/24
法律状态
2020-08-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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