一种5G低剖面双极化辐射单元及基站天线
授权
摘要
本实用新型涉及一种5G低剖面双极化辐射单元及基站天线，该5G低剖面双极化辐射单元包括辐射体和设置在所述辐射体底端的巴伦，所述辐射体包括两个极化正交设置的振子，每个振子包括两个关于所述辐射体的中心对称的辐射臂，两个振子的四个辐射臂位于同一平面上且四个辐射臂之间相互连接，每个辐射臂具有镂空孔，每个振子的两个辐射臂的镂空孔关于所述辐射体的中心对称，所述巴伦包括四个支撑件，每个支撑件对应一个辐射臂，每个支撑件的顶端连接到对应的辐射臂的镂空孔的靠近辐射体中心的一端内壁。本实用新型的结构简单，易于制造，减小了体积和重量，降低了成本。
基本信息
专利标题 ：
一种5G低剖面双极化辐射单元及基站天线
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021000879.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-03
授权号 ：
CN211829186U
授权日 ：
2020-10-30
发明人 ：
沈泽和田龙赵小青方健成
申请人 ：
深圳国人科技股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市坪山区龙田街道锦绣中路与翠景路交叉处国人科技园1号楼5楼
代理机构 ：
深圳市盈方知识产权事务所(普通合伙)
代理人 ：
周才淇
优先权 ：
CN202021000879.7
主分类号 ：
H01Q1/24
IPC分类号 ：
H01Q1/24 H01Q1/36 H01Q1/50
法律状态
2020-10-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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