一种低剖面超宽频双极化辐射单元
授权
摘要
本实用新型揭示了一种低剖面超宽频双极化辐射单元，其包括辐射面板(2)、PCB基板(4)以及连接在所述辐射面板(2)和所述PCB基板(4)之间的若干馈电片(3)，所述馈电片(3)一端与所述辐射面板(2)连成一体，通过将所述辐射面板(2)上的部分材料冲弯形成所述馈电片(3)。本实用新型的低剖面超宽频双极化辐射单元，通过将辐射面板上的部分材料冲压形成馈电片，使得馈电片无需与辐射单元焊接，简化了工艺，装配更为简单，成本更低。
基本信息
专利标题 ：
一种低剖面超宽频双极化辐射单元
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021298923.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-06
授权号 ：
CN212991309U
授权日 ：
2021-04-16
发明人 ：
钱军邵俊枫梁启迪
申请人 ：
江苏亨鑫科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市宜兴市丁蜀镇陶都路138号
代理机构 ：
苏州国诚专利代理有限公司
代理人 ：
诸世跃
优先权 ：
CN202021298923.7
主分类号 ：
H01Q1/36
IPC分类号 ：
H01Q1/36 H01Q1/38 H01Q1/50
相关图片
法律状态
2021-04-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN212991309U.PDF
PDF下载
