一种CVD金刚石基体片式电阻器
授权
摘要
本实用新型涉及一种CVD金刚石基体片式电阻器，包括CVD金刚石基体和设置在所述CVD金刚石基体上的导电层、氮化钽电阻层，所述导电层包括上端部分和下端部分，所述上端导电部分、氮化钽电阻层、下端导电部分依次布置在所述CVD金刚石基体的正面上，所述氮化钽电阻层两端分别与上端导电部分、下端导电部分连接，所述下端导电部分延伸至所述CVD金刚石基体的下端面以及背面，所述上端部分具有凹槽。本实用新型具有极小尺寸，功率极大、极优秀的高频性能，并且综合性能远超常规的陶瓷基体类射频电阻等优点。
基本信息
专利标题 ：
一种CVD金刚石基体片式电阻器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922184755.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-09
授权号 ：
CN210606834U
授权日 ：
2020-05-22
发明人 ：
陈雷王元宇许春宁杨佳鸣
申请人 ：
四川永星电子有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市新都区电子路98号
代理机构 ：
北京中索知识产权代理有限公司
代理人 ：
房立普
优先权 ：
CN201922184755.2
主分类号 ：
H01C7/00
IPC分类号 ：
H01C7/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01C
电阻器
H01C7/00
用一层或多层薄膜或涂敷膜构成的不可调电阻器；由含或不包含绝缘材料的粉末导电材料或粉末半导体材料构成的不可调电阻器
法律状态
2020-05-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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