一种基于自适应偏置的CMOS跨导单元电路
授权
摘要
本实用新型公开了一种基于自适应偏置的CMOS跨导单元电路，在宽电压范围内为跨导单元主体电路提供较为恒定的偏置电流，利用栅极电压的自适应调整和预留的较大电压回旋空间，其中偏置电压Vbias1选择较低值，使得电流源I1a刚刚能够饱和，这样，随着输入电压的升高，PMOS管M4a和PMOS管M5a进入线性区之后还能再拓展一些输入电压范围，直到PMOS管M7a也进入线性区，本实用新型的优点在于，可以获取更宽的电压输入范围，对于纳米级CMOS工艺来说是非常重要的特性，同时为跨导主体电路提供的偏置电流非常稳定，即其偏置电流对输入电压的依赖性非常小，有利于提高线性度。
基本信息
专利标题 ：
一种基于自适应偏置的CMOS跨导单元电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922246422.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-16
授权号 ：
CN211089594U
授权日 ：
2020-07-24
发明人 ：
白春风赵文翔汤雁婷乔东海
申请人 ：
苏州大学
申请人地址 ：
江苏省苏州市相城区济学路8号
代理机构 ：
苏州翔远专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陆金星
优先权 ：
CN201922246422.8
主分类号 ：
H03F1/42
IPC分类号 ：
H03F1/42 H03F3/45
法律状态
2020-07-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
