扬声器及其落差式阵列磁路系统
授权
摘要
本实用新型涉及一种扬声器及其落差式阵列磁路系统，该落差式阵列磁路系统包括呈间隔阵列排布的多个磁体单元，每一所述磁体单元均包括磁铁，所述磁铁的两个磁极分别位于上侧和下侧，所述多个磁体单元的上表面呈高低交替设置。此结构能够使磁力线在相邻两个磁体单元中上表面较低的一个磁体单元的上方区域附近聚集，使得该区域具有更大的磁通密度，从而可实现在扬声器较低的高度下，满足扬声器的声学性能要求。
基本信息
专利标题 ：
扬声器及其落差式阵列磁路系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922342520.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-23
授权号 ：
CN210807639U
授权日 ：
2020-06-19
发明人 ：
何朝阳姚青山黄杰
申请人 ：
常州阿木奇声学科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市武进经济开发区兰香路7号3#楼
代理机构 ：
深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙)
代理人 ：
张约宗
优先权 ：
CN201922342520.1
主分类号 ：
H04R9/02
IPC分类号 ：
H04R9/02 H04R9/06
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法律状态
2020-06-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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