一种石墨烯辅助GaN整流器
授权
摘要
本实用新型公开了一种石墨烯辅助GaN整流器。该整流器包括外延片，分别设置在外延片上表面两侧且不互联的初级肖特基电极和初级欧姆电极，设置在初级肖特基电极和初级欧姆电极上方的石墨烯层，设置在石墨烯层上的金属层，设置在肖特基电极部分金属层上的肖特基金属层，设置在欧姆电极石墨烯层上金属层同肖特基电极部分肖特基金属层上方的图形化钝化层，设置在图形钝化层开口处的顶电极层；所述肖特基金属层将初级肖特基电极、初级肖特基电极上方的石墨烯层和金属层裸露在空气处所有区域包裹在内。本实用新型的整流器可降低GaN整流器高频工作热击穿发生频率并有效增强GaN整流器电极电流扩展能力。
基本信息
专利标题 ：
一种石墨烯辅助GaN整流器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922389503.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-27
授权号 ：
CN211295107U
授权日 ：
2020-08-18
发明人 ：
李国强李筱婵
申请人 ：
华南理工大学
申请人地址 ：
广东省广州市天河区五山路381号
代理机构 ：
广州粤高专利商标代理有限公司
代理人 ：
何淑珍
优先权 ：
CN201922389503.3
主分类号 ：
H01L29/45
IPC分类号 ：
H01L29/45 H01L29/47 H01L23/373 H01L29/861 H01L21/329
法律状态
2020-08-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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