纳米间隔层的全固态光子增强热电子发射光电转化器件
授权
摘要
本实用新型属于光子增强热电子发射光电转化器件，为解决真空结构的光子增强热电子发射器件在高温下工作时，工作寿命和转化效率会降低的问题，提供纳米间隔层的全固态光子增强热电子发射光电转化器件，包括吸收层、势垒层和电极层；吸收层包括长方体状的第一吸收部，第一吸收部朝向电极层的侧面设有多个第二吸收部，第二吸收部呈矩阵状排布；各第二吸收部与电极层之间分别通过势垒层相连，势垒层与第二吸收部的排布相对应；吸收层采用禁带宽度为0.8‑2.1eV的P型掺杂半导体材料，势垒层采用禁带宽度大于吸收层的半导体材料，吸收层和势垒层的异质结界面处导带能量差小于价带能量差，电极层采用金属材料，还可将上述光电转化器件用类似串联的结构进行组装。
基本信息
专利标题 ：
纳米间隔层的全固态光子增强热电子发射光电转化器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922414792.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-29
授权号 ：
CN211404511U
授权日 ：
2020-09-01
发明人 ：
杨阳曹伟伟徐鹏白永林秦君军王博陈震朱炳利白晓红
申请人 ：
中国科学院西安光学精密机械研究所
申请人地址 ：
陕西省西安市高新区新型工业园信息大道17号
代理机构 ：
西安智邦专利商标代理有限公司
代理人 ：
史晓丽
优先权 ：
CN201922414792.8
主分类号 ：
H01L31/0216
IPC分类号 ：
H01L31/0216 H01L31/042
法律状态
2020-09-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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