E/D NMOS基准电压源及低压差电压调整器

授权

摘要

本实用新型提供一种E/D NMOS基准电压源及低压差电压调整器，在所述E/D NMOS基准电压源中，无论外加的电源电压如何变化，通过基于N沟道结型场效应管的预基准源电路能将预基准输出电压稳定为固定值，预基准输出电压的范围宽、工艺调整方便；由于预基准源电路的承受耐压和初步稳压，使得E/D NMOS基准源电路的输入电压受电源电压的变化很小，大大提高了E/D NMOS基准源电路的宽输入电压范围、电源抑制比并同时具有E/D NMOS基准微功耗的性质；且该E/D NMOS基准电压源的电路结构简单合理，不需要三极管、电阻、电容等，其制作工艺仅在硅栅P阱E/D CMOS工艺的基础上，增加了N沟道结型场效应管的制作，工艺上只需调整N沟道结型场效应管的阈值电压，大大简化了工艺，降低了成本。

基本信息

专利标题：

E/D NMOS基准电压源及低压差电压调整器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201922442082.6

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-12-30

授权号：

CN210895158U

授权日：

2020-06-30

发明人：

胡永贵

申请人：

中国电子科技集团公司第二十四研究所

申请人地址：

重庆市南岸区南坪花园路14号

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙)

代理人：

尹丽云

优先权：

CN201922442082.6

主分类号：

G05F1/56

IPC分类号：

G05F1/56