发光装置、制备发光装置的方法以及电子设备
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摘要
发光装置、制备发光装置的方法以及电子设备。该发光装置包括：硅基衬底基板；在所述硅基衬底基板上的至少一个有机发光二极管器件；第一封装层，在所述至少一个有机发光二极管器件的远离所述硅基衬底基板的一侧，所述第一封装层包括一个或多个子层；彩膜层，在所述第一封装层的远离所述至少一个有机发光二极管器件的一侧；以及第二封装层，在所述彩膜层的远离所述第一封装层的一侧，所述第二封装层包括一个或多个子层，其中，所述第一封装层中至少一个子层的折射率大于所述第二封装层中至少一个子层的折射率。该发光装置可防止彩膜层暴露在外界环境中而老化失效，从而延长了发光装置的使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
发光装置、制备发光装置的方法以及电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112714969A
申请号 ：
CN201980001513.5
公开（公告）日 ：
2021-04-27
申请日 ：
2019-08-27
授权号 ：
CN112714969B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
王青黄冠达陈小川董永发袁雄李东升童慧
申请人 ：
京东方科技集团股份有限公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区酒仙桥路10号
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
彭久云
优先权 ：
CN201980001513.5
主分类号 ：
H01L51/52
IPC分类号 ：
H01L51/52 H01L27/32
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2021-05-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/52
申请日 : 20190827
申请日 : 20190827
2021-04-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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