具有场优化的微观结构的多层压敏电阻
授权
摘要
一种多层压敏电阻，所述多层压敏电阻包括由压敏电阻材料构成的陶瓷体，其中所述陶瓷体包括多个内电极以及第一区域（A）和第二区域（B），而且所述压敏电阻材料在所述第一区域（A）内具有第一平均晶粒尺寸DA而在所述第二区域（B）内具有第二平均晶粒尺寸DB，其中适用：DA
基本信息
专利标题 ：
具有场优化的微观结构的多层压敏电阻
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112384999A
申请号 ：
CN201980044926.1
公开（公告）日 ：
2021-02-19
申请日 ：
2019-07-02
授权号 ：
CN112384999B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
T·法伊希廷格M·霍夫施泰特H·格林比希勒
申请人 ：
TDK电子股份有限公司
申请人地址 ：
德国慕尼黑
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
姬亚东
优先权 ：
CN201980044926.1
主分类号 ：
H01C7/102
IPC分类号 ：
H01C7/102 H01C7/112 H01C7/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01C
电阻器
H01C7/00
用一层或多层薄膜或涂敷膜构成的不可调电阻器；由含或不包含绝缘材料的粉末导电材料或粉末半导体材料构成的不可调电阻器
H01C7/10
电压响应的，即压敏电阻器
H01C7/102
压敏电阻器的界面，例如表面层
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2021-03-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01C 7/102
申请日 : 20190702
申请日 : 20190702
2021-02-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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