用于3D-NAND的CDSEM计量的方法、系统和计算机程...
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摘要
一种用于通过一系列制造步骤制造的半导体结构的工艺控制的方法，所述方法包括获得指示至少两个单独制造步骤的半导体结构的图像；其中通过用带电粒子束扫描半导体结构并且收集从半导体结构发出的信号来生成所述图像；以及通过硬件处理器处理图像以确定半导体结构的参数，其中处理包括测量来自制造步骤当中作为单独特征的(多个)台阶。
基本信息
专利标题 ：
用于3D-NAND的CDSEM计量的方法、系统和计算机程序产品
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112469962A
申请号 ：
CN201980049495.8
公开（公告）日 ：
2021-03-09
申请日 ：
2019-10-31
授权号 ：
CN112469962B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
R·克里斯R·梅厄S·列文I·施瓦茨班德G·克列巴诺夫S·利瓦伊E·诺菲尔德H·弥勒T·吉泽K·萨哈S·杜夫德瓦尼-巴V·维利沙金
申请人 ：
应用材料以色列公司
申请人地址 ：
以色列瑞哈佛特市
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
侯颖媖
优先权 ：
CN201980049495.8
主分类号 ：
G01B15/00
IPC分类号 ：
G01B15/00 G06K9/46 G06K9/60 G06T7/10 G06T7/60
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01B
长度、厚度或类似线性尺寸的计量；角度的计量；面积的计量；不规则的表面或轮廓的计量
G01B15/00
以采用波或粒子辐射为特征的计量设备
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2021-03-26 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01B 15/00
申请日 : 20191031
申请日 : 20191031
2021-03-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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