一种低温制备多晶硅膜材料的方法、得到的产品和用途
授权
摘要
本发明涉及一种低温制备多晶硅膜材料的方法、得到的产品和用途。所述方法包括：采用高密度等离子体增强化学气相沉积设备制备多晶硅膜材料，气相沉积的温度≤300℃，所述高密度等离子体增强化学气相沉积设备的功率≥500W。本发明所述多晶硅膜材料的可以在300℃以下制备得到，且具有良好的光学性能，在633nm波长对应的折射率约为3.8、消光系数约为0.02，在四英寸基底范围内薄膜均匀性好；其次，本发明所述方法可以在不同材料界面制备具有良好均匀性的多晶硅膜材料；最后，本发明提供的低温多晶硅薄膜材料制备工艺简单易行，具有极大的应用潜力。
基本信息
专利标题 ：
一种低温制备多晶硅膜材料的方法、得到的产品和用途
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111155070A
申请号 ：
CN202010072029.6
公开（公告）日 ：
2020-05-15
申请日 ：
2020-01-21
授权号 ：
CN111155070B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
宋志伟褚卫国徐丽华闫兰琴
申请人 ：
国家纳米科学中心
申请人地址 ：
北京市海淀区中关村北一条11号
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
巩克栋
优先权 ：
CN202010072029.6
主分类号 ：
C23C16/24
IPC分类号 ：
C23C16/24 C23C16/455 C23C16/52 C23C16/50 C23C16/02 C30B28/14 C30B29/06 C30B29/64
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IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/24
仅沉积硅
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2020-06-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/24
申请日 : 20200121
申请日 : 20200121
2020-05-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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