一种评估聚合物基自修复膜自修复极限的方法
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摘要
本发明涉及一种评估聚合物基自修复膜自修复极限的方法，将聚合物基自修复膜循环进行刻蚀—自修复—测量过程，直至测量结果超出规定；记录循环次数N，即记为该聚合物基自修复膜自修复极限；所述测量结果超出规定是指自修复后聚合物基自修复膜的上表面粗糙度值D大于阈值K或者裂纹形貌目视有明显裂纹：所述裂纹结构由多个相同的且具有一定间距的裂纹构成，每个裂纹的尺寸用直径和深度或者宽度和深度表示；所述的特定裂纹结构是指每个裂纹的直径、宽度或者深度大于等于100nm。本发明的方法，能够精确地制备出可控尺寸的裂纹，从而保证方法的标准性；能在同一样品、同一区域进行多次重复形貌裂痕的损伤/愈合用以评估其自修复极限。
基本信息
专利标题 ：
一种评估聚合物基自修复膜自修复极限的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111474387A
申请号 ：
CN202010098549.4
公开（公告）日 ：
2020-07-31
申请日 ：
2020-02-18
授权号 ：
CN111474387B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
陈洪旭李海东程凤梅林祥松陈超
申请人 ：
嘉兴学院
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市秀洲区康和路1288号光伏科技创园2号楼
代理机构 ：
上海统摄知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杜亚
优先权 ：
CN202010098549.4
主分类号 ：
G01Q60/24
IPC分类号 ：
G01Q60/24 G01N23/225
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01Q
扫描探针技术或设备；扫描探针技术的应用，例如，扫描探针显微术
G01Q60/00
特殊类型的SPM或其设备；其基本组成
G01Q60/24
AFM或其设备，例如AFM探针
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2020-08-25 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01Q 60/24
申请日 : 20200218
申请日 : 20200218
2020-07-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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