一种高隔离度的双极化腔体辐射单元
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摘要

本发明提供了一种高隔离度的双极化腔体辐射单元,属于通讯技术领域。改辐射单元包括内部设置有谐振腔体的谐振部件、均向所述谐振腔体馈电的第一波导和第二波导;所述谐振部件上分别设置有第一耦合窗口和第二耦合窗口,所述第一波导通过所述第一耦合窗口与所述谐振腔体连通,所述第二波导通过所述第二耦合窗口与所述谐振腔体连通;所述第一波导和所述第二波导均为矩形波导;所述第一波导的宽度边方向与所述第二波导的宽度边方向相互正交;所述谐振部件上还设置有用于所述谐振腔体向自由空间辐射极化波的镂空槽。该辐射单元具有高辐射效率、高功率容量、良好的机械强度和高增益特性,能够承受大功率传输,端口之间隔离度高。

基本信息
专利标题 :
一种高隔离度的双极化腔体辐射单元
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111293424A
申请号 :
CN202010115407.4
公开(公告)日 :
2020-06-16
申请日 :
2020-02-25
授权号 :
CN111293424B
授权日 :
2022-05-13
发明人 :
朱玉建张晓谭挺艳毕晓坤李津袁涛
申请人 :
深圳大学
申请人地址 :
广东省深圳市南山区南海大道3688号
代理机构 :
深圳市精英专利事务所
代理人 :
冯筠
优先权 :
CN202010115407.4
主分类号 :
H01Q1/36
IPC分类号 :
H01Q1/36  H01Q1/50  H01Q1/52  H01Q5/307  H01Q13/18  
法律状态
2022-05-13 :
授权
2020-07-10 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01Q 1/36
申请日 : 20200225
2020-06-16 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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