序批式厌氧氨氧化菌培养方法和装置

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摘要

本发明提供了一种序批式厌氧氨氧化菌培养方法和装置，涉及厌氧氨氧化技术领域。该序批式厌氧氨氧化菌培养方法的每个培养周期均独立的依次包括第一进水期、排氧期和第二进水期。第一进水期包括向沉降有菌体的反应器内加入第一培养基；排氧期包括：使菌体沉积在反应器底部，进行厌氧氨氧化反应至反应器中的溶解氧浓度为0；第二进水期包括：搅拌反应器中的反应体系至菌体与反应底物混合，同时向反应器中补入氨氮浓度和亚硝态氮浓度递增的培养基。该序批式厌氧氨氧化菌培养方法能够提高系统中厌氧氨氧化菌生长速率，并实现系统总氮去除负荷的稳定增长。

基本信息

专利标题：

序批式厌氧氨氧化菌培养方法和装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111269837A

申请号：

CN202010164879.9

公开（公告）日：

2020-06-12

申请日：

2020-03-11

授权号：

CN111269837B

授权日：

2022-04-05

发明人：

孙晓莹张轶凡刘鹏刘宝玉李金河刘玥郭金芳

申请人：

天津凯英科技发展股份有限公司

申请人地址：

天津市南开区卫津南路76号二楼

代理机构：

北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

李双艳

优先权：

CN202010164879.9

主分类号：

C12N1/00

IPC分类号：

C12N1/00 C12M1/00 C12M1/34 C12M1/12 C12M1/02 C02F3/28