阵列面板及其制作方法
授权
摘要
本发明公开了一种阵列面板及其制作方法，包括：形成第一器件板，所述第一器件板包括基板层、缓冲层、半导体层、栅极绝缘层和栅极；形成氧化物材料层和所述半导体的导体化部分，其中，所述氧化物材料层覆盖第一器件板，所述导体化部分与所述半导体层未被覆盖部分对应；在所述氧化物材料层上形成第二器件板，所述第二器件板包括源极、漏极、平坦化层、像素定义层、阳极、有机发光层、阴极、封装层，其中，所述源极和所述漏极与所述导体化部分电连接。本发明能够提高阵列面板中薄膜晶体管的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
阵列面板及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111370364A
申请号 ：
CN202010179662.5
公开（公告）日 ：
2020-07-03
申请日 ：
2020-03-16
授权号 ：
CN111370364B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
刘大江李金明
申请人 ：
TCL华星光电技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
吕姝娟
优先权 ：
CN202010179662.5
主分类号 ：
H01L21/77
IPC分类号 ：
H01L21/77 H01L27/12 H01L27/32
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2020-07-28 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/77
申请日 : 20200316
申请日 : 20200316
2020-07-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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