一种基于空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法

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摘要

本发明公开了一种基于空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域，本发明包括从下到上依次为：透明衬底，导电阳极，电子传输层，钙钛矿光活性层，空穴传输层，空穴阻挡层，金属阴极。所述钙钛矿空穴传输层为DNT‑4TPA，分子结构简单，空穴迁移率高、效率高、电导率高和溶解性好，由所述空穴传输材料制备的钙钛矿太阳能电池可与钙钛矿能级匹配。有效地提高了钙钛矿太阳能电池的短路电流，开路电压以及填充因子，从而提升了器件光电转换效率。与传统器件所使用的Spiro‑OMeTAD相比，其空穴传输层不需要氧化，能够有效地减少水氧对器件的侵蚀，从而提高钙钛矿太阳能电池器件的稳定性和寿命。

基本信息

专利标题：

一种基于空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法

专利标题（英）：

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公开（公告）号：

CN111430543A

申请号：

CN202010181389.X

公开（公告）日：

2020-07-17

申请日：

2020-03-16

授权号：

CN111430543B

授权日：

2022-04-15

发明人：

郑丁郑华靖潘博文于军胜

申请人：

电子科技大学

申请人地址：

四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

代理机构：

成都弘毅天承知识产权代理有限公司

代理人：

邓芸

优先权：

CN202010181389.X

主分类号：

H01L51/42

IPC分类号：

H01L51/42 H01L51/46 H01L51/48