一种用于存储器或存内计算的阵列单元结构及其工作方法
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摘要
本发明提供一种存储器或存内计算的阵列单元结构，其特征在于，包括：第一晶体管；第二晶体管；以及电阻变化特性器件，为在包括电流、电压、磁场的外部作用下其等效阻值可以在高阻和低阻之间变化的特性器件。其中，第一晶体管和第二晶体管的源极连接地线、连接电源线或作为计算源线(CSL)连接外界输入。利用晶体管选用NMOS和PMOS的不同以及连接方式的不同，实现特定电压条件下在存储器低阻态或高阻态时开启或关闭，实现计算位线(CBL)电流的抽取或注入，从而有效解决了低阻态或高阻态的波动问题，同时克服了存内计算中非线性问题。
基本信息
专利标题 ：
一种用于存储器或存内计算的阵列单元结构及其工作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111462798A
申请号 ：
CN202010247625.3
公开（公告）日 ：
2020-07-28
申请日 ：
2020-03-31
授权号 ：
CN111462798B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
解玉凤王渝胡显武冯佳韵吴丹青李东洋
申请人 ：
复旦大学
申请人地址 ：
上海市杨浦区邯郸路220号
代理机构 ：
上海德昭知识产权代理有限公司
代理人 ：
卢泓宇
优先权 ：
CN202010247625.3
主分类号 ：
G11C16/04
IPC分类号 ：
G11C16/04 G11C16/12
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2020-08-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 16/04
申请日 : 20200331
申请日 : 20200331
2020-07-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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