一种基于漂移阶跃恢复二极管的重频纳秒脉冲产生电路
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摘要
本发明公开了一种基于漂移阶跃恢复二极管的重频纳秒脉冲产生电路，充电回路的输出端经初级脉冲形成回路的输入端相连接，初级脉冲形成回路的输出端与可饱和脉冲变压器的原边绕组相连接，可饱和脉冲变压器中次级绕组的一端与次级储能电容的一端相连接，次级储能电容的另一端与DSRD开关组件的正极及阻性负载的一端相连接，可饱和脉冲变压器中次级绕组的另一端、DSRD开关组件的负极及阻性负载的另一端均接地，该电路能够有效的解决现有技术中基于DSRD的脉冲产生电路高幅值输出及高重频工作的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种基于漂移阶跃恢复二极管的重频纳秒脉冲产生电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111431509A
申请号 ：
CN202010335052.X
公开（公告）日 ：
2020-07-17
申请日 ：
2020-04-24
授权号 ：
CN111431509B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
谢彦召赖雨辰王海洋
申请人 ：
西安交通大学
申请人地址 ：
陕西省西安市咸宁西路28号
代理机构 ：
西安通大专利代理有限责任公司
代理人 ：
房鑫
优先权 ：
CN202010335052.X
主分类号 ：
H03K3/021
IPC分类号 ：
H03K3/021 H03K3/012 H03K17/567
法律状态
2022-05-20 ：
授权
2020-08-11 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03K 3/021
申请日 : 20200424
申请日 : 20200424
2020-07-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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