提升SRAM芯片写能力的差分电源电路
授权
摘要
本发明公开了一种提升SRAM芯片写能力的差分电源电路，包括一个反相器和两个差分虚拟电源产生电路，两个差分虚拟电源产生电路镜像对称，将两个差分虚拟电源产生电路分别称为第一个差分虚拟电源产生电路和第二个差分虚拟电源产生电路，第一个差分虚拟电源产生电路包括第一个或非门、第一个PMOS管、第一个NMOS管、第二个NMOS管和第一个虚拟电源线，第二个差分虚拟电源产生电路包括第二个或非门、第二个PMOS管、第三个NMOS管、第四个NMOS管和第二个虚拟电源线；优点是具有较强的写驱动能力，应用于SRAM芯片时，不会导致SRAM芯片的面积和功耗大幅增加，且不会影响SRAM芯片的保持能力，提高SRAM芯片性能。
基本信息
专利标题 ：
提升SRAM芯片写能力的差分电源电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111710355A
申请号 ：
CN202010433785.7
公开（公告）日 ：
2020-09-25
申请日 ：
2020-05-21
授权号 ：
CN111710355B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
温亮李伟春冯明奎朱连利卫国华路士兵
申请人 ：
中国人民武装警察部队海警学院
申请人地址 ：
浙江省宁波市北仑区小港红联振兴西路205号武警海警学院
代理机构 ：
宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
方小惠
优先权 ：
CN202010433785.7
主分类号 ：
G11C11/417
IPC分类号 ：
G11C11/417 G11C11/419 G11C5/14
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/41
用正反馈形成单元的，即，不需要刷新或电荷再生的单元。例如，双稳态多谐振荡器或施密特触发器
G11C11/413
辅助电路，例如，用于寻址的、译码的、驱动的、写入的、读出的、定时的或省电的
G11C11/417
用于场效应型存储单元的
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2020-10-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 11/417
申请日 : 20200521
申请日 : 20200521
2020-09-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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