氧化铝模板、高度垂直有序锑纳米线阵列及其制备方法

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摘要

本申请提供一种氧化铝模板的制备方法，包括如下步骤：提供铝箔；在所述铝箔的第一面形成有序排列的多个凹坑结构；将所述铝箔通过阳极氧化形成氧化铝模板，其中，所述多个凹坑结构进一步氧化形成多个有序排列的孔阵列；在所述氧化铝模板的第一面沉积导电层；在所述导电层上沉积支撑层；除去所述氧化铝模板第二面的铝箔和部分氧化铝层，暴露到所述多个有序排列的孔阵列；对所述氧化铝模板进行扩孔处理。本申请在电解氧化铝模板之前，在其上形成有序排列的凹坑结构，所述凹坑结构在阳极氧化后转化为有序排列的孔阵列，凹坑结构分布越有序，形成的孔阵列越有序，可通过调节凹坑结构的有序度来调节孔阵列的有序度，从而获得高度有序的孔阵列。

基本信息

专利标题：

氧化铝模板、高度垂直有序锑纳米线阵列及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111575761A

申请号：

CN202010455838.5

公开（公告）日：

2020-08-25

申请日：

2020-05-26

授权号：

CN111575761B

授权日：

2022-04-01

发明人：

方耀国田秀君李敏吴月陈淑青

申请人：

苏州凌威新能源科技有限公司;湖南新敏雅新能源科技有限公司;四川新敏雅电池科技有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市昆山开发区前进东路科技广场大楼404室62号工位（集群登记）

代理机构：

北京市一法律师事务所

代理人：

刘荣娟

优先权：

CN202010455838.5

主分类号：

C25D11/16

IPC分类号：

C25D11/16 C25D11/08 C25D11/10 C25D11/24 C25D1/00 H01M4/38 H01M10/0525