制备高度有序的铂纳米孔阵列电极的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种制备高度有序的铂纳米孔阵列电极的方法，其特征是先将铂电极表面用超细Al2O3悬浮液在丝绸上抛光，再在二次蒸馏水中超声清洗2－5分钟后，用高纯氮气吹干，然后将浓度0.001－0.01g·mL－1的PS－b－PAA/THF溶液旋转涂覆在铂电极表面，在5－30℃的室温下，保持湿度为50－95％，待THF完全挥发后，电极表面形成微米级厚度的高度有序多孔膜，即制得高度有序的铂纳米孔阵列电极。本发明的制备方法简单、科学，不需要使用光刻、模板、降解和真空干燥、高强电场等手段，制得的阵列电极孔径均一、排布有序、均匀，且电极表现良好的超微电极性能。可用于制备新型超微阵列化学传感器、生物传感器，有很好的推广应用价值和市场前景。
基本信息
专利标题 ：
制备高度有序的铂纳米孔阵列电极的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1825104A
申请号 ：
CN200610039071.8
公开（公告）日 ：
2006-08-30
申请日 ：
2006-03-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王赪胤邵晓秋刘清秀冒银道薛怀国胡效亚
申请人 ：
扬州大学
申请人地址 ：
225009江苏省扬州市大学南路88号
代理机构 ：
扬州苏中专利事务所
代理人 ：
胡定华
优先权 ：
CN200610039071.8
主分类号 ：
G01N27/30
IPC分类号 ：
G01N27/30
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/30
•••电极，例如测试电极；半电池
法律状态
2008-09-03 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-08-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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