利用双层材料制备有序自组织纳米结构的方法
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摘要
一种利用双层材料制备有序自组织纳米结构的方法，该方法包括以下步骤：在第一膜层上形成第二膜层，所述第一膜层和第二膜层为不互溶的双层材料；离子束轰击所述第二膜层至深度到达所述第一膜层内，诱导所述第一膜层形成有序自组织纳米结构。本发明基于双层材料形成的自组织纳米结构之间的差异和引导作用，通过利用离子轰击自调控的自组织纳米结构的制备方法，快速地提高自组织纳米结构有序性、长程性，具有工艺简单、成本低、易于实现的优势。
基本信息
专利标题 ：
利用双层材料制备有序自组织纳米结构的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112158798A
申请号 ：
CN202010991748.8
公开（公告）日 ：
2021-01-01
申请日 ：
2020-09-18
授权号 ：
CN112158798B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
刘颖李金昱杨高元洪义麟
申请人 ：
中国科学技术大学
申请人地址 ：
安徽省合肥市包河区金寨路96号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
吴梦圆
优先权 ：
CN202010991748.8
主分类号 ：
B82B3/00
IPC分类号 ：
B82B3/00
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B82
超微技术
B82B
通过操纵单个原子、分子或作为孤立单元的极少量原子或分子的集合而形成的纳米结构；其制造或处理
B82B3/00
通过操纵单个原子、分子或作为孤立单元的极少量原子或分子的集合的纳米结构的制造或处理
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2021-01-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : B82B 3/00
申请日 : 20200918
申请日 : 20200918
2021-01-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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