一种基于S型局部有源忆阻器混沌电路结构
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摘要
本发明公开了一种基于S型局部有源忆阻器混沌电路结构，包括一个S型局部有源忆阻器LAM、一个电容C、一个电感L、一个线性电阻R和一个直流电压源VD。S型局部有源忆阻器LAM和电感L串联后与电容C并联后构成一个三阶系统，直流电压源与线性电阻串联后为S型局部有源忆阻器提供偏置电流。S型局部有源忆阻器具有纳米级尺寸优势，采用其设计的混沌电路体积小，结构简单，易于集成化，可以广泛地应用至电子通信领域及其他工程领域。其中S型局部有源忆阻器数学模型与现有模型相比，参数更少、表达形式更简单，有助于S型局部有源忆阻器的分析及其应用电路的探索研究。
基本信息
专利标题 ：
一种基于S型局部有源忆阻器混沌电路结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111786769A
申请号 ：
CN202010484293.0
公开（公告）日 ：
2020-10-16
申请日 ：
2020-06-01
授权号 ：
CN111786769B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
梁燕卢振洲李付鹏
申请人 ：
杭州电子科技大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
代理机构 ：
杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
杨舟涛
优先权 ：
CN202010484293.0
主分类号 ：
H04L9/00
IPC分类号 ：
H04L9/00
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2020-11-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H04L 9/00
申请日 : 20200601
申请日 : 20200601
2020-10-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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