一种超导磁通存储单元及其读写方法

授权

摘要

本申请涉及一种超导磁通存储单元及其读写方法，超导磁通存储单元包括存储环路、选址电路和读取电路；存储环路包括第一约瑟夫森结；第一约瑟夫森结具有偏离正弦函数的电流相位关系，通过扫描偏置电流形成稳定磁通存储回滞；选址电路，用于调节第一约瑟夫森结的临界电流，以改变存储环路的磁通存储回滞大小；读取电路，用于原位读取存储环路的磁通状态。本申请存储环路中第一约瑟夫森结的电流相位关系与正弦函数之间的偏移量可等效于存储环路的电感在形成存储回滞中的作用，如此，可以使超导磁通存储单元摆脱对于因环路电感需求而产生的最小面积限制，从而可以大幅度缩小超导磁通存储单元的面积。

基本信息

专利标题：

一种超导磁通存储单元及其读写方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111724836A

申请号：

CN202010493002.4

公开（公告）日：

2020-09-29

申请日：

2020-06-03

授权号：

CN111724836B

授权日：

2022-06-07

发明人：

陈垒王镇

申请人：

中国科学院上海微系统与信息技术研究所

申请人地址：

上海市长宁区长宁路865号

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司

代理人：

郝传鑫

优先权：

CN202010493002.4

主分类号：

G11C11/15

IPC分类号：

G11C11/15 G11C11/413